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SQD40N04-10A
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
I D = 30 A
V GS = 10 V
55
52
49
46
43
40
I D = 10 mA
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 150 °C
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
0.05
0.04
0.03
0.1
0.01
T J = 25 °C
0.02
0.01
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.001
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.5
0.1
- 0.3
I D = 5 mA
- 0.7
I D = 250 μA
- 1.1
- 1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
S11-2046-Rev. B, 24-Oct-11
4
Document Number: 68847
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